2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 31.8 A, 表面 70 V, 8-Pin エンハンスメント型, SIZ256DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

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梱包形態
RS品番:
228-2937
メーカー型番:
SIZ256DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

70V

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3S

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0176Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

33W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay デュアル N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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