2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 48 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ240DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥255,435.00

(税抜)

￥280,980.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥85.145￥255,435
6000 - 27000￥84.574￥253,722
30000 - 42000￥84.002￥252,006
45000 - 57000￥83.451￥250,353
60000 +￥82.88￥248,640

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
200-6852
メーカー型番:
SiZ240DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

48A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00805Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

33W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

0.8mm

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay SiZ240DT-T1-GE3 は、デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

MOSFET ハーフブリッジパワーステージを内蔵しています

100 % Rg及びUISテスト済み

Qg 比の最適化によりスイッチング特性が向上しています

関連ページ