型番

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ250DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FDC

RS品番:: 200-6873
メーカー型番:: SiZ250DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ250DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FDC

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6000 - 27000	￥75.457	￥226,371
30000 - 42000	￥74.548	￥223,644
45000 - 57000	￥73.991	￥221,973
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RS品番:: 200-6873
メーカー型番:: SiZ250DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	38A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	TrenchFET Gen IV
	パッケージ型式	PowerPAIR 3 x 3FDC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.01887Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	33W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.75mm
	幅	3.3 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	3.3mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 38A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ TrenchFET Gen IV
	パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3FDC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.01887Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 33W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.75mm
	幅 3.3 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 3.3mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Document- SiZ250DT-T1-GE3

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 は、デュアル N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

Qg 比の最適化によりスイッチング性能が向上しています

特性

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ250DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FDC

3,000円を超える注文については、送料無料

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