2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ250DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3FDC

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RS品番:
200-6873
メーカー型番:
SiZ250DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3FDC

シリーズ

TrenchFET Gen IV

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.01887Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.5nC

最大許容損失Pd

33W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 は、デュアル N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 は、デュアル N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

Qg 比の最適化によりスイッチング性能が向上しています

特性

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

Qg 比の最適化によりスイッチング性能が向上しています

特性

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