onsemi MOSFET, Nチャンネル, 40 A, 表面実装, 3 ピン, NTB082N65S3F

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梱包形態
RS品番:
178-4423
メーカー型番:
NTB082N65S3F
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

40 A

最大ドレイン-ソース間電圧

650 V

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

82 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

313 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±30 V

幅

9.65mm

長さ

10.67mm

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

81 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

高さ

4.58mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.3V

COO（原産国）:
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger

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