2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 500 mA, 表面 25 V, 6-Pin エンハンスメント型, FDG6303N パッケージSOT-363
- RS品番:
- 739-0189
- メーカー型番:
- FDG6303N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 150 - 1420 | ￥81.40 | ￥407 |
| 1425 - 1895 | ￥70.00 | ￥350 |
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- RS品番:
- 739-0189
- メーカー型番:
- FDG6303N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 500mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 770mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.25 mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 500mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 770mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.64nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.25 mm | ||
高さ 1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
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