2 Vishay MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

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RS品番:
180-7294
メーカー型番:
SI4559ADY-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.58Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

3.4W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

順方向電圧 Vf

1.2V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装デュアルチャンネル（ P チャンネルと N チャンネルの両方） MOSFET は、ゲートソース電圧が 10 V のときに 58 mhm のドレインソース抵抗を持つ新しい製品です。ドレイン - ソース電圧は 60 V です。連続ドレイン電流は 5.3 A 及び 3.9 A です。最大定格電力は 3.4 W です。 スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。CCFL インバータに使用できます。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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