Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 8.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si4056ADY-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,206.00

(税抜)

￥1,326.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
取扱終了
  • 4,820 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥120.60￥1,206
150 - 1190￥105.70￥1,057
1200 - 1590￥91.50￥915
1600 - 1990￥76.30￥763
2000 +￥60.30￥603

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
228-2819
メーカー型番:
Si4056ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.75mm

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET Gen IV N チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、回路保護、モータドライブ制御に使用されます。

Vishay TrenchFET Gen IV N チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、回路保護、モータドライブ制御に使用されます。

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

ロジックレベルゲートドライブ

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

ロジックレベルゲートドライブ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ