Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 40 V, 7.2 A, 62 mΩ, 11.8 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
RS品番:
180-7289
メーカー型番:
SI4447ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

7.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

62mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.8nC

最大許容損失Pd

2.7W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

長さ

5mm

幅

6.2mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装PチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が40V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は45mΩである。最大消費電力は4.2W、連続ドレイン電流は7.2Aである。このトランジスタの最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C~150°C

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• アダプター・スイッチ

• ロードスイッチ

• ノートPC

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。