2 Vishay MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 5.3 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4559ADY-T1-E3 パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,795.00

(税抜)

￥1,974.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,910 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120￥359.00￥1,795
125 - 1195￥315.00￥1,575
1200 - 1595￥269.40￥1,347
1600 - 1995￥224.40￥1,122
2000 +￥180.20￥901

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-8097
メーカー型番:
SI4559ADY-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.58Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

最大許容損失Pd

3.4W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装デュアルチャンネル（ P チャンネルと N チャンネルの両方） MOSFET は、ゲートソース電圧が 10 V のときに 58 mhm のドレインソース抵抗を持つ新しい製品です。ドレイン - ソース電圧は 60 V です。連続ドレイン電流は 5.3 A 及び 3.9 A です。最大定格電力は 3.4 W です。 スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。CCFL インバータに使用できます。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ