Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 8.9 A, 表面 150 V, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8

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RS品番:
180-7314
メーカー型番:
SI7315DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.315Ω

動作温度 Min

50°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

52W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.4nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.12mm

長さ

3.61mm

幅

3.61 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SI7315DN はデュアル P チャンネル MOSFET で、ドレイン - ソース間電圧（ Vdsこの製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.315 Ω @ 10VGS 、 0.35 Ω @ 7.5VGS最大ドレイン電流： -8.9A

Vishay SI7315DN はデュアル P チャンネル MOSFET で、ドレイン - ソース間電圧（ Vdsこの製品には、パワー PAK 1212-8 パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.315 Ω @ 10VGS 、 0.35 Ω @ 7.5VGS最大ドレイン電流： -8.9A

トレンチ FET パワー MOSFET

小型サイズの低熱抵抗パワー PAK パッケージ

100 % Rg及びUISテスト済み

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100 % Rg及びUISテスト済み

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