Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 7.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4447ADY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7948
メーカー型番:
SI4447ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

62mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.8nC

最大許容損失Pd

2.7W

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

幅

6.2 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

ビシェイMOSFET


Vishayの表面実装PチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が40V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は45mΩである。最大消費電力は4.2W、連続ドレイン電流は7.2Aである。このトランジスタの最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減するために最適化されている。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲンフリー

• 鉛フリー

• 動作温度範囲 -55°C～150°C

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• アダプター・スイッチ

• ロードスイッチ

• ノートPC

認定資格


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rgテスト済み

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