Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 46 A, 0.05 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 239-8626
- メーカー型番:
- SIHB055N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-8626
- メーカー型番:
- SIHB055N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 46A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.05Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 46A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.05Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay EFシリーズは、高速ボディダイオードを備えたパワーMOSFETです。このMOSFETは、サーバー及び通信電源、溶接、モータドライブに使用されます。
第4世代Eシリーズテクノロジ
低実効容量
低スイッチング損失、低導電損失
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