型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 46 A, 0.05 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

RS品番:: 239-8626
メーカー型番:: SIHB055N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 46 A, 0.05 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

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RS品番:: 239-8626
メーカー型番:: SIHB055N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	46A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	EF
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.05Ω
	チャンネルモード	デプレッション型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	63nC
	最大許容損失Pd	278W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	125°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 46A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ EF
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.05Ω
	チャンネルモードデプレッション型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC
	最大許容損失Pd 278W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 125°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SIHB055N60EF-GE3

Vishay EFシリーズは、高速ボディダイオードを備えたパワーMOSFETです。このMOSFETは、サーバー及び通信電源、溶接、モータドライブに使用されます。

第4世代Eシリーズテクノロジ

低実効容量

低スイッチング損失、低導電損失

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