Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 81.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥284,364.00

(税抜)

￥312,801.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥94.788￥284,364
6000 - 27000￥94.153￥282,459
30000 - 42000￥93.531￥280,593
45000 - 57000￥92.896￥278,688
60000 +￥92.262￥276,786

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
188-4901
メーカー型番:
SISS26LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

81.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiSS26LDN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Max

150°C

幅

3.3 mm

規格 / 承認

No

高さ

0.78mm

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

関連ページ