Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 67.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥272,169.00

(税抜)

￥299,385.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 6,000 は海外在庫あり（最終在庫）

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥90.723￥272,169
6000 - 27000￥88.509￥265,527
30000 - 42000￥87.443￥262,329
45000 - 57000￥86.402￥259,206
60000 +￥85.386￥256,158

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
210-5017
メーカー型番:
SiSS76LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

67.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

70V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SiSS76LDN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.3nC

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.4mm

高さ

0.83mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ