Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 92.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥3,824.00

(税抜)

￥4,206.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥152.96￥3,824
150 - 1350￥136.16￥3,404
1375 - 1725￥118.40￥2,960
1750 - 2225￥101.64￥2,541
2250 +￥84.80￥2,120

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
200-6855
メーカー型番:
SiSS22LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

92.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

65.7W

動作温度 Max

150°C

高さ

3.3mm

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 は、 N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ