Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 6.4 A, 700 mΩ, 12 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
200-6821
メーカー型番:
SIHP690N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

6.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

700mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

62.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流6.4 A - SIHP690N60E-GE3


このパワーMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、従来のヒートシングや手動組立に適したスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングが可能
• 6.4 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 700mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を最小化
• 62.5 Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 12nCゲート充電により、駆動エネルギーを低減し、高速スイッチングを実現
• 30Vのゲート-ソース許容差により、柔軟なゲート駆動レベルを実現

用途


• オフライン電源および高電圧コンバータに最適
• モータドライブゲートステージおよびインバータスイッチングに最適
• 産業機器のディスクリートスイッチング電源と併用
• スルーホール取り付けが必要なラボプロトタイプに使用可能
• 高電圧照明制御のドライバステージに最適

過酷な設置環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作し、過酷な産業環境にも対応します。

どのような取り付けと冷却オプションが互換性がありますか?


TO-220ABスルーホールフォーマットにより、基板を直接取り付け、従来のヒートシンクに取り付けることができ、熱管理を強化します。

ゲート充電はドライバ選択にどのように影響しますか?


標準的なゲート電荷12nCにより、適度なゲートドライブ機能が必要で、適切なスイッチング速度を維持しながらコンパクトなドライバーでの使用が可能です。

自動車グレードの用途に適していますか?


自動車規格に適合することは指定されていないため、一般的な産業用および商業用電子設計に適しています。

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