Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 18.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si4425FDY-T1-GE3

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RS品番:
200-6796
メーカー型番:
Si4425FDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

18.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET Gen IV

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

4.8W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Si4425FDY-T1-GE3 は、 P チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IV pチャンネルパワーMOSFET

100%耐久性テスト済み

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