型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 18.3 A, 16 mΩ, 41 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8

RS品番:: 200-6796
メーカー型番:: Si4425FDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 18.3 A, 16 mΩ, 41 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8

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RS品番:: 200-6796
メーカー型番:: Si4425FDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	18.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	TrenchFET Gen IV
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	16mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	4.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	41nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 18.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ TrenchFET Gen IV
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 4.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Document- Si4425FDY-T1-GE3

Vishay Si4425FDY-T1-GE3 は、 P チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IV pチャンネルパワーMOSFET

100%耐久性テスト済み

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