Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, デュアル, 70 V, 32.5 A, 0.0161 Ω, 13 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAIR 3 x 3S
- RS品番:
- 228-2934
- メーカー型番:
- SiZ254DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥108.60 | ￥325,800 |
| 6000 - 27000 | ￥107.004 | ￥321,012 |
| 30000 - 42000 | ￥105.407 | ￥316,221 |
| 45000 - 57000 | ￥103.809 | ￥311,427 |
| 60000 + | ￥102.212 | ￥306,636 |
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- RS品番:
- 228-2934
- メーカー型番:
- SiZ254DT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 32.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 70V | |
| パッケージ型式 | PowerPAIR 3 x 3S | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0161Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 32.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 70V | ||
パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3S | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0161Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay デュアル N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET です。
100 % Rg及びUISテスト済み
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