型番

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 19.1 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SIZ270DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

RS品番:: 204-7264
メーカー型番:: SIZ270DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 19.1 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SIZ270DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

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RS品番:: 204-7264
メーカー型番:: SIZ270DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	19.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	SiZ270DT
	パッケージ型式	PowerPAIR 3 x 3S
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0377Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.3nC
	最大許容損失Pd	33W
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	幅	3.3 mm
	長さ	3.3mm
	高さ	0.75mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 19.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ SiZ270DT
	パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3S
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0377Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.3nC
	最大許容損失Pd 33W
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	幅 3.3 mm
	長さ 3.3mm
	高さ 0.75mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Vishay デュアル N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、 MOSFET ハーフブリッジ電源ステージを内蔵しており、スイッチング特性が向上する最適化された Qg / Qgs 比を備えています。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 19.1 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, SIZ270DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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