STMicroelectronics MOSFETモジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 33 A, 0.105 Ω, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 202-5482
- メーカー型番:
- SCTH40N120G2V7AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 202-5482
- メーカー型番:
- SCTH40N120G2V7AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFETモジュール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 33 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.105 Ω | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | SCT | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFETモジュール | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 33 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.105 Ω | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ SCT | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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