STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 60 A, 0.052 Ω, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 233-0470
- メーカー型番:
- SCTH60N120G2-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 233-0470
- メーカー型番:
- SCTH60N120G2-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 60 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.052 Ω | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 60 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.052 Ω | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
取付タイプ 表面 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode.
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
関連ページ
- STMicroelectronics MOSFET 1200 V 0.052 Ω パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFET 90 A 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics SiC電源モジュール 1200 V 0.065 Ω パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFETモジュール 1200 V 0.105 Ω パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFET 1200 V 105 mΩ 7ピン, パッケージ：H2PAK
- STMicroelectronics MOSFET 1200 V 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFET 650 V 0.055 Ω パッケージ：H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFET 55 A パッケージ：H2PAK-7