onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG022N120M3S

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梱包形態
RS品番:
254-7661
メーカー型番:
NTBG022N120M3S
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NTB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

148nC

最大許容損失Pd

117W

順方向電圧 Vf

4.5V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、22モーム、1200 V、M3S、D2PAK-7L


ON Semiconductor NTBシリーズの平面シックモスフェットは、高速スイッチング用途向けに最適化されています。平面テクノロジーは、負のゲート電圧ドライブとゲート上のスパイクをオフにすることで信頼性が高く動作します。このファミリは、18 Vゲートドライブで駆動するときに最適な性能を発揮しますが、15 Vゲートドライブでも優れた性能を発揮します。

100 %バランステスト済み、パワー密度向上ゲートドライブ電圧: 15 → 18 V

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