onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 1200 V, 19.5 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG160N120SC1

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梱包形態
RS品番:
205-2494
メーカー型番:
NTBG160N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NTB

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

225mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

136W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33.8nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

3.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

Pb-Free, RoHS

幅

9.7 mm

長さ

15.1mm

高さ

4.3mm

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L


ON Semiconductor の SiC N チャンネル 1200 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格： 19.5 A

ソースへのドレイン抵抗定格： 224 mhm

超低ゲート電荷

高速スイッチング及び低静電容量

100 % アバランシェテスト済み

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