Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
145-1820
メーカー型番:
SIHB30N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

250W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor


VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。

特長


低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg

低入力静電容量(Ciss)

低オン抵抗(RDS(on))

超低ゲート電荷(Qg)

高速スイッチング

スイッチング損失及び導電損失を低減

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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