2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 54 A, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 204-7237
- メーカー型番:
- SQJ264EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 6000 - 27000 | ¥99.632 | ¥298,896 |
| 30000 - 42000 | ¥97.641 | ¥292,923 |
| 45000 - 57000 | ¥95.694 | ¥287,082 |
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- RS品番:
- 204-7237
- メーカー型番:
- SQJ264EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 54A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | SQJ264EP | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.82V | |
| 最大許容損失Pd | 48W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.37 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 54A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ SQJ264EP | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.2nC | ||
順方向電圧 Vf 0.82V | ||
最大許容損失Pd 48W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
長さ 4.9mm | ||
高さ 1.07mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.37 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive Dual N Channel 60 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET は、同期バック用途向けに最適化されています。AEC-Q101 認定済みです。
100 % Rg及びUISテスト済み
TrenchFET Gen IV パワー MOSFET
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