型番

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 54 A, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSO-8

RS品番:: 204-7237
メーカー型番:: SQJ264EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 54 A, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSO-8

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6000 - 27000	￥106.862	￥320,586
30000 - 42000	￥104.726	￥314,178
45000 - 57000	￥102.638	￥307,914
60000 +	￥100.579	￥301,737

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RS品番:: 204-7237
メーカー型番:: SQJ264EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	54A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	SQJ264EP
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	20mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9.2nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.82V
	最大許容損失Pd	48W
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	175°C
	長さ	4.9mm
	高さ	1.07mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 54A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ SQJ264EP
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.2nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.82V
	最大許容損失Pd 48W
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 175°C
	長さ 4.9mm
	高さ 1.07mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Automotive Dual N Channel 60 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、同期バック用途向けに最適化されています。AEC-Q101 認定済みです。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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