2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 40 V, 4-Pin エンハンスメント型, SQJ912DEP-T1_GE3 パッケージSO-8

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梱包形態
RS品番:
210-5049
メーカー型番:
SQJ912DEP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

27W

順方向電圧 Vf

0.79V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

No

高さ

1.07mm

長さ

4.9mm

幅

4.37 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Vishay Automotive デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプです。

Vishay Automotive デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプです。

TrenchFET®パワーMOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

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AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

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