2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 40 V, 4-Pin エンハンスメント型, SQJ912DEP-T1_GE3 パッケージSO-8
- RS品番:
- 210-5049
- メーカー型番:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 150 - 1390 | ￥127.80 | ￥1,278 |
| 1400 - 1890 | ￥112.30 | ￥1,123 |
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- RS品番:
- 210-5049
- メーカー型番:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.79V | |
| 最大許容損失Pd | 27W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
順方向電圧 Vf 0.79V | ||
最大許容損失Pd 27W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 4.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.07mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプです。
TrenchFET®パワーMOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み
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