Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 54.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS30ADN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5011
メーカー型番:
SiSS30ADN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

54.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

SiSS30ADN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

高さ

0.83mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプで、ドレイン電流が 54.7 A です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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