Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS32ADN-T1-GE3
- RS品番:
- 210-5014
- メーカー型番:
- SiSS32ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-5014
- メーカー型番:
- SiSS32ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 63A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SiSS32ADN | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 65.7W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.83mm | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 63A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SiSS32ADN | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 65.7W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.83mm | ||
長さ 3.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 63 A のドレイン電流を備えた PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。
TrenchFET Gen IV パワー MOSFET
超低RDS - Qg性能指数(FOM)
最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み
100 % Rg及びUISテスト済み
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