Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS32ADN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5014
メーカー型番:
SiSS32ADN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

63A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SiSS32ADN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

65.7W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

高さ

0.83mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 80 V （ D-S ） MOSFET は、 63 A のドレイン電流を備えた PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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