STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 48 A 650 V, スルーホール エンハンスメント型, 3-Pin, STWA68N65DM6 パッケージTO-247
- RS品番:
- 212-2109
- メーカー型番:
- STWA68N65DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 212-2109
- メーカー型番:
- STWA68N65DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 48A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.059Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 48A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.059Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
DMMesh M6 MOSFET N-CH
STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速回復ダイオードシリーズの一部です。以前のMDmesh高速ジェネレーションと比較して、DM6は、非常に低い回復電荷(Qrr)、回復時間(trr)とエリアごとのRDS(on)の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジとZVS相シフトコンバータに対応する市場で最も効果的なスイッチング動作の1つを組み合わせています。
高速回復ボディダイオード
以前の世代に比べてエリアごとのRDS(on)が低い
低ゲート充電、入力静電容量、抵抗
100% アバランシェ試験済み
極めて高い dv/dt 耐久性