Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 62 A N, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, BSZ096N10LS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-4343
メーカー型番:
BSZ096N10LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

62A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.5mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

69W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

長さ

3.4mm

規格 / 承認

No

幅

3.4 mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS MOSFET は、トレンチ MOSFET の最先端の R DS （ on ）と、従来型の平面 MOSFET の広い安全な動作領域を兼ね備えています。

ホットスワップ及び e ヒューズ用途に最適です

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