Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 215-2472
- メーカー型番:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥86.111 | ￥430,555 |
| 10000 - 45000 | ￥84.384 | ￥421,920 |
| 50000 - 70000 | ￥79.883 | ￥399,415 |
| 75000 - 95000 | ￥77.632 | ￥388,160 |
| 100000 + | ￥75.391 | ￥376,955 |
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- RS品番:
- 215-2472
- メーカー型番:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 14.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最大許容損失Pd | 52W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
最大許容損失Pd 52W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS ™ 5 パワー MOSFET のロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信の用途に最適です。このデバイスの低ゲート電荷（ Q g ）により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高スイッチング周波数で動作可能です。さらに、ロジックレベルドライブはゲートしきい値電圧（ V GS （ the ））が低く、 MOSFET を 5 V で、マイクロコントローラから直接駆動できます。
Infineon の OptiMOS ™ 5 パワー MOSFET のロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信の用途に最適です。このデバイスの低ゲート電荷（ Q g ）により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高スイッチング周波数で動作可能です。さらに、ロジックレベルドライブはゲートしきい値電圧（ V GS （ the ））が低く、 MOSFET を 5 V で、マイクロコントローラから直接駆動できます。
小型パッケージに低 R DS （ on ）を実現しています
低ゲート電荷量
出力電荷量を低減します
ロジックレベルの互換性
小型パッケージに低 R DS （ on ）を実現しています
低ゲート電荷量
出力電荷量を低減します
ロジックレベルの互換性
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