Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 40 A, 9.4 mΩ, 14.1 nC, 8ピン, パッケージ:PQFN

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梱包形態
RS品番:
214-4341
メーカー型番:
BSZ070N08LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.4mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.1nC

最大許容損失Pd

69W

動作温度 Max

150°C

長さ

3.4mm

高さ

1.1mm

幅

3.4mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOS 5シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 80V、連続ドレイン電流 40A - BSZ070N08LS5ATMA1


このMOSFETは、大電流の表面実装電源用途向けに設計された小型Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、信頼性の高いドレイン-ソース間性能と適度なゲート駆動を必要とするシステムにおいて、低導通損失と効率的なスイッチングを実現するよう設計されています。このデバイスは、小型フットプリントとPQFN実装が求められる基板レベルの電力段に適しています。

特長:


• 超低オン抵抗 9.4mΩ により、導通損失を低減
• 連続電流定格 40A により、高負荷動作に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 80V により、高電圧設計に対応
• 標準ゲート電荷 14.1nC により、高速なスイッチング遷移が可能
• 最大許容電力 69W により、熱負荷に対応

用途


• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 小型プリント基板上のモータードライブのハーフブリッジ段に最適
• 高電圧システムのバッテリ管理回路に使用
• 大電流を必要とする通信機器およびサーバーの電源レールに使用可能

信頼性の高いスイッチングのために、どのようなゲート電圧制限を守る必要がありますか?


ゲート酸化膜へのストレスを避けるため、ゲート-ソース間電圧は 20V を超えないようにしてください。

周囲温度は連続動作にどのような影響を与えますか?


連続電流容量は標準条件で規定されていますが、デバイスの温度範囲全体で動作させる場合、消費電力が 69W に近づくと熱管理が必要になります。

パッケージのどのような特性が基板レイアウトとはんだ付けに影響しますか?


3.4x3.4mm の小型フットプリントの8ピンPQFN表面実装パッケージを採用しており、放熱のために適切なランドパターンとサーマルビアが必要です。

使用時にどの程度の極端な温度に耐えられますか?


この部品は -55°C~150°C で機能する定格となっており、過酷な熱環境で使用できます。

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