Infineon Nチャンネル MOSFET600 V 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

Infineon 600 V Cool MOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 Cool MOS ™ CP と比較してターンオフ損失（ E oss ）を約 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。効率性と TCO （総所有コスト>）が重視されるハイパーデータセンターや高効率通信用整流器（ 96 % ）などの用途は、 Cool MOS ™ C7 による高効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V Cool MOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用すると、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。

Qg、Coss、Eossといったスイッチング損失パラメータ値を低減
クラス最高の性能指数Qg*R DS(on)
スイッチング周波数の増大
R(on)*Aが世界最高
堅牢なボディのダイオード

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