Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 8.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥58,806.00

(税抜)

￥64,686.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 8,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 8000￥29.403￥58,806
10000 - 18000￥28.984￥57,968
20000 - 48000￥28.258￥56,516
50000 - 98000￥27.539￥55,078
100000 +￥26.812￥53,624

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
215-2596
メーカー型番:
IRFR120ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

35W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET シリーズでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー

関連ページ