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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	8.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	35W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10nC
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 8.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 35W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IRFR120ZTRPBF

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET シリーズでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 8.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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