- RS品番:
- 218-3030
- メーカー型番:
- IPB073N15N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価: 購入単位は1000 個
¥419.999
(税抜)
¥461.999
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
1000 - 1000 | ¥419.999 | ¥419,999.00 |
2000 - 9000 | ¥411.599 | ¥411,599.00 |
10000 - 14000 | ¥403.368 | ¥403,368.00 |
15000 - 19000 | ¥395.301 | ¥395,301.00 |
20000 + | ¥387.394 | ¥387,394.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 218-3030
- メーカー型番:
- IPB073N15N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon OptiMOS ™ 5 N チャネルパワー MOSFET 。Infineon の OptiMOS ™ 5 150 V パワー MOSFET は、フォークリフトや電動スクーターなどの低電圧ドライブ、電気通信や太陽光発電などの用途に特に適しています。
優れたゲート電荷x RDS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 RDS ( on )
超低逆回復電荷( Qrr )
175 °Cの動作温度
鉛フリーリードめっき
超低オン抵抗 RDS ( on )
超低逆回復電荷( Qrr )
175 °Cの動作温度
鉛フリーリードめっき
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 114 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V |
パッケージタイプ | TO 263 |
シリーズ | OptiMOS™ 5 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.0073 Ω |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.6V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
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