onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL125N65S3H

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,124.00

(税抜)

￥2,336.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 404 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 28￥1,062.00￥2,124
30 - 208￥947.00￥1,894
210 - 278￥831.50￥1,663
280 - 358￥716.50￥1,433
360 +￥602.00￥1,204

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
221-6718
メーカー型番:
NTHL125N65S3H
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NTHL125N

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

171W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

動作温度 Max

175°C

幅

4.8 mm

高さ

41.34mm

規格 / 承認

RoHS, Pb-Free

長さ

15.87mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。

超低ゲート電荷

低実効出力容量： 379 pF

100%アバランシェ耐量試験済み

関連ページ