Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IGT60R190D1SATMA1
- RS品番:
- 222-4638
- メーカー型番:
- IGT60R190D1SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4638
- メーカー型番:
- IGT60R190D1SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | CoolGaN | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 190mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ CoolGaN | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。Cool MOSTM P6シリーズは、主要なSJ MOSFETメーカーの経験と高クラスのイノベーションを組み合わせた製品です。本製品は、使いやすさを損なうことなく、高速スイッチング SJ MOSFET の利点を備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性、小型化、軽量化、冷却性がさらに向上します。
MOSFET の dv/dt 耐性向上
非常に低いFOM RDS(on)*Qg とRDS(on)*Eossによる極めて低い損失の実現
高い整流安定性
鉛未使用めっき、ハロゲン未使用モールド化合物
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