Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージTO-252, IPDD60R190G7XTMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4904
メーカー型番:
IPDD60R190G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD50R

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

順方向電圧 Vf

0.8V

最大許容損失Pd

76W

動作温度 Max

150°C

高さ

21.11mm

幅

2.35 mm

長さ

6.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon technologiesは、高電力SMPSアプリケーション（PC電源、太陽光発電、サーバーおよび通信システム）に対応した初めての上面冷却型表面実装デバイス（SMD）である Double DPAK （ DDPAK ）を発表しました。既存の高電圧技術600 V CoolMOS™ G7 super junction (SJ) MOSFETの利点と革新的な上面冷却コンセプトを組み合わせることにより、PFCなどの高電流ハードスイッチング用システムソリューションやLLCトポロジ用のハイエンド効率ソリューションを提供します。

最高レベルのエネルギー効率を実現

基板と半導体の熱分離により、PCB材料の熱限界を克服

寄生ソースインダクタンスを低減し、効率と使いやすさを向上

高電力密度ソリューションを実現

最高レベルの品質基準を満たす

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