Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 600 V, 29 A, 65 mΩ, 68 nC, 5ピン, パッケージ：ThinPAK
- RS品番:
- 222-4908
- メーカー型番:
- IPL60R065C7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 6000 - 6000 | ￥708.575 | ￥2,125,725 |
| 9000 - 9000 | ￥700.038 | ￥2,100,114 |
| 12000 - 12000 | ￥693.698 | ￥2,081,094 |
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- RS品番:
- 222-4908
- メーカー型番:
- IPL60R065C7AUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 29A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | ThinPAK | |
| シリーズ | IPD50R | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 180W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 68nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 幅 | 8.1mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 29A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 ThinPAK | ||
シリーズ IPD50R | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 180W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 68nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8.1mm | ||
幅 8.1mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 600 V CoolMOS™ C7スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を約50 %削減し、PFC、TTF、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7は、高電力密度の充電器設計にも最適です。
QG、Coss、Eossなどのスイッチング損失を低減
クラス最高性能のQG*RDS(on)
スイッチング周波数の向上
世界最高レベルのR(on)*Aを実現
高耐久性のボディダイオード
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