Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 47 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
225-9909
メーカー型番:
SIHB053N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

47A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

54mΩ

最大許容損失Pd

278W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

92nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

9.65 mm

高さ

15.88mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

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