Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 22 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
279-9903
メーカー型番:
SIHB150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.137Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流22 A - SIHB150N60E-GE3


このパワーMOSFETは、産業環境やオートメーション環境の電力変換および制御回路で使用するために設計された高電圧スイッチングトランジスタです。表面実装TO-263パッケージのエンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして動作し、幅広い温度範囲に耐えながら堅牢な高電圧スイッチングを必要とするアセンブリに実用的なフットプリントを提供します。

特長:


• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 22 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理が可能 • 0.137Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 179 Wの消費電力により、高い電力ステージをサポート • 36nC標準ゲート充電により、スイッチング損失を管理可能 • 30 Vのゲート定格電圧により、幅広いゲートドライブの柔軟性を実現

用途


• 高電圧トランジスタを必要とするスイッチモード電源に最適 • 産業オートメーションシステムのモータードライブに最適 • 電力変換モジュールのインバータステージに使用 • 制御ギアの高電圧リレー交換に使用可能 • 高温で動作する電源アセンブリと併用

このデバイスは、動作中にどのような温度範囲に耐えられますか?


-55 °Cおよび最大150 °Cの過酷な環境下で動作するように設定されており、過酷な産業用熱条件に適しています。

このパッケージには、どのくらいの端子があり、どのような取り付けスタイルが使用されていますか?


このデバイスは3ピンを備え、プリント基板アセンブリ用の表面実装TO-263パッケージで提供されます。

ゲート電極に最大ゲートドライブを適用する必要がありますか?


ゲートソース電圧は30 Vを超えてはならないため、ゲート過度のストレスを防止します。

ドライブ設計で考慮すべき標準的なスイッチング特性は何ですか?


ゲート充電は36 nCで、スイッチングトランジションと損失を制御するためにドライバサイズに考慮する必要があります。

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