Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 15 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 256-7410
- メーカー型番:
- SIHB15N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7410
- メーカー型番:
- SIHB15N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 15A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.28Ω | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 78nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 180W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 15A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.28Ω | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 78nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 180W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、600 Vドレインソース電圧、15 A連続ドレイン電流 - SIHB15N60E-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、基板レベルの電源アセンブリの熱管理に適したコンパクトな表面実装パッケージで提供されます。
特長：
• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 15 Aの連続電流により、中電力負荷をサポート • 0.28 Ωのオン抵抗により、導通損失を低減 • 78 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現 • 180 Wの消費電力により、高い負荷処理をサポート • 最大動作温度150 °Cで高い熱ストレスに耐える
用途
• 高電圧電源およびコンバータに最適 • オートメーションシステムのモータードライブスイッチングに最適 • 産業用照明およびバラスト制御回路に使用 • エネルギー管理およびインバータステージに使用可能 • 配電モジュールのヒートシンクボードと併用
設計中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、ゲート酸化ストレスを避けるため、30 Vを超えるゲートソース電圧にさらされないでください。
基板上の熱条件をどのように管理すべきですか?
TO-263パッケージ用の専用銅パッドと熱拡散エリアを設計し、指定された消費電力下で定格限界以下のジャンクション温度を維持します。
コンポーネントが耐えられる環境温度範囲は?
-55 °Cから最大+150 °Cまで動作するように設定されており、過酷な環境条件や高いジャンクションシナリオに適しています。
このデバイスは自動車仕様レベルに適合していますか?
自動車グレードのコンポーネントとして分類されておらず、車両用途に対して適切に評価する必要があります。
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