型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 71.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR681DP-T1-RE3

RS品番:: 228-2910
メーカー型番:: SiR681DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 71.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR681DP-T1-RE3

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150 - 1420	￥432.40	￥2,162
1425 - 1895	￥371.40	￥1,857
1900 - 2395	￥309.20	￥1,546
2400 +	￥248.00	￥1,240

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RS品番:: 228-2910
メーカー型番:: SiR681DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	71.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	11.2mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	104W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	69.4nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 71.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.2mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 104W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69.4nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Vishay TrenchFET P チャンネルは 80 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 71.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR681DP-T1-RE3

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