Vishay MOSFET, Nチャンネル, 24.7 A, 表面実装, 8 ピン, SiS890ADN-T1-GE3
- RS品番:
- 228-2927
- メーカー型番:
- SiS890ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2927
- メーカー型番:
- SiS890ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 24.7 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | PowerPak 1212-8 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.0255 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 24.7 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ PowerPak 1212-8 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0255 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2.5V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET です。
100 % Rg及びUISテスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。