Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 19 A, 0.158 Ω, 36 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

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RS品番:
279-9919
メーカー型番:
SIHK155N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SIHK

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.158Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

156W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

9.9mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SIHKシリーズMOSFET、ドレインソース電圧600 V、連続ドレイン電流19 A - SIHK155N60E-T1-GE3


このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。エンハンスメントモードで動作し、幅広い温度範囲で大きなドレイン電流と高い電力処理を必要とする電子システムに適しています。このデバイスは、コンパクトなPowerPAK 10x12パッケージに取り付けるように設計されており、RoHS要件に適合しています。

特長:


• 600V定格により、高電圧電力段での使用が可能
• 19 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷電流をサポート
• 156Wの最大消費電力により、重いスイッチングデューティを実現
• 0.158Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 36nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 30Vの最大ゲートドライブにより、標準的なロジックレベルのゲート制御が可能

用途


• 電源のSMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータードライブのインバータ段に最適
• 高電圧DC-DC変換モジュールに使用
• 準リレーおよびソリッドステートスイッチングアレイに使用可能
• 通信および産業用配電機器に最適

過酷な設置環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、過酷な産業環境でも使用可能です。

熱管理の観点から、どのような取り付け上の考慮事項がありますか?


表面実装型PowerPAK 10x12フォーマットにより、適切な銅鉛めっきおよびバイアスと組み合わせることで、近接ヒートシンクおよび低熱抵抗基板レイアウトを実現します。

どのくらいのピンがあり、基板レイアウトにどのような影響を与えますか?


このデバイスは8ピン構成を採用し、専用ドレイン、ソース、ゲート接続を実現し、コンパクトな高電流ルーティングを実現します。

標準的な順方向電圧は何で、どのような場所で適用されますか?


順方向電圧は1.2Vで、ボディダイオード伝導シナリオやスイッチング過渡時の逆回復性能に適しています。

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