Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60E-T1-GE3

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RS品番:
279-9919
メーカー型番:
SIHK155N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

SIHK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.158Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

156W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

9.9mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETは、EシリーズパワーMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

第4世代Eシリーズ技術

低メリット数値(FOM)ロン x Qg

低効果静電容量

アバランシェエネルギー定格

スイッチング及び伝導損失の削減

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