Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 21 A, 0.109 Ω, 54 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 239-8637
メーカー型番:: SIHK125N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 21 A, 0.109 Ω, 54 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 239-8637
メーカー型番:: SIHK125N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.109Ω
	チャンネルモード	デプレッション型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	54nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	132W
	動作温度 Max	+150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ E
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.109Ω
	チャンネルモードデプレッション型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 132W
	動作温度 Max +150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SIHK125N60E-T1-GE3

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流21 A - SIHK125N60E-T1-GE3

このパワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換および自動車環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチです。広い周囲環境範囲で動作し、密集した基板レイアウトに適したコンパクトな表面実装PowerPAK 10x12パッケージで提供されます。このデバイスは、堅牢なゲート駆動条件に対応し、業界の鉛フリー環境要件を満たすように製造されています。

特長：

• 650V ドレイン容量により、高電圧システム設計が可能
• 21Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 低Rds(on) 0.109Ωにより、電力段での導通損失を低減
• 132Wの消費電力により、高い熱ヘッドルームを実現
• 最大30Vのゲート許容差により、アグレッシブなドライブスキームを実現
• 標準ゲート充電54nCで高速スイッチングトランジションを実現

用途

• 産業用システムの高電圧DC-DCコンバータに最適
• オンボード自動車用配電モジュールに最適
• 高電圧スイッチングを必要とするモータードライブステージで使用
• 通信機器の電源に使用可能
• ハーフブリッジおよび同期整流器の実装に最適

過酷な環境ではどのような温度条件に耐えられますか?

-55°C～+150°Cで動作するように設計されており、自動車および産業環境で使用される極端な温度範囲で使用できます。

パッケージは取り付けと組み立てにどのような影響を与えますか?

PowerPAK 10x12表面実装フォーマットは、低プロファイルのフットプリントを実現し、自動配置と効率的な基板実装用途を容易にします。

このデバイスは自動車認定ワークフローに適していますか?

AEC-Q101自動車規格に準拠しているため、コンポーネントレベルの自動車認定を必要とする車両電子機器に適しています。

設計者はどのような導通およびスイッチングトレードオフを期待する必要がありますか?

適度なゲート電荷と低Rds(on)のバランスを期待し、多くのパワーエレクトロニクストポロジで比較的高速なスイッチングを維持しながら、導通損失を低減します。