Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK105N60E-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥880,000.00

(税抜)

￥968,000.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000￥440.00￥880,000
4000 - 18000￥429.411￥858,822
20000 - 28000￥428.064￥856,128
30000 - 38000￥426.718￥853,436
40000 +￥425.372￥850,744

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
268-8310
メーカー型番:
SIHK105N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

SIHK

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

132W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

9.9mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
第4世代Eシリーズテクノロジーを採用したVishayパワーMOSFETは、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、力率補正電源などの用途に使用されます。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

関連ページ