Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 24 A, 0.1 Ω, 53 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 268-8310
メーカー型番:: SIHK105N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 24 A, 0.1 Ω, 53 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 268-8310
メーカー型番:: SIHK105N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	シリーズ	SIHK
	取付タイプ	PCBマウント
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.1Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	53nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	132W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	9.9mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	シリーズ SIHK
	取付タイプ PCBマウント
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 132W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 9.9mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SIHK105N60E-T1-GE3

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHKシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流24A - SIHK105N60E-T1-GE3

このMOSFETは、プリント基板の電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。産業環境向けの幅広い温度範囲で動作し、大きな電力処理と高いドレインソース電圧耐性を必要とする用途に適しています。このデバイスは、プリント基板アセンブリの熱管理を容易にするため、低プロファイルのPowerPAKパッケージに取り付けられています。

特長：

• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングに対応
• 24A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 0.1Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 132Wの最大消散により熱ヘッドルームを向上
• 標準ゲート電荷 53nC により、スイッチング速度とゲート駆動能力のバランスを確保
• Vgs 30 Vゲートリミットにより、堅牢なゲートドライブ範囲を実現

用途

• 産業用高電圧電源に最適
• スイッチモード電力変換段階に最適
• 高電圧を必要とするモータードライブインバーターに使用
• 力率補正回路に使用可能
• ユーティリティおよび再生可能エネルギーインターフェース電子機器に最適

信頼性の高い動作温度範囲は?

このデバイスは、-55°C～150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱環境での使用が可能です。

熱性能に関しては、どのような梱包および取り付けに関する考慮事項が適用されますか?

プリント基板実装用のPowerPAK 10x12パッケージで提供され、適切な銅プレーンとサーマルバイアスと組み合わせることで熱放散を促進します。

ゲート充電はドライバ選択にどのように影響しますか?

標準的な総ゲート電荷53nCにより、ゲートドライブ損失を管理しながら、必要なスイッチング速度に十分な電流を供給する必要があります。

最大許容ゲート・ソース間電圧はどれくらいですか?

最大Vgsは30 Vであるため、デバイスのストレスを回避するために、ゲートドライブ回路をその制限内に保つように設計する必要があります。