Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 29 A, 0.08 Ω, 41 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

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梱包形態
RS品番:
239-5381
メーカー型番:
SIHK075N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.08Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

167W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧600V、連続ドレイン電流29A - SIHK075N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。コンパクトなパッケージと堅牢な熱性能が求められる表面実装用途に適しており、RoHS環境制限に準拠しています。

特長:


• 定格電圧 600V により、高電圧スイッチングが可能
• 29 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 0.08Ω Rds(on)により、低い導通損失を実現
• 167Wの消費電力により、効果的な熱処理を実現
• 41nCの標準ゲート充電により、制御されたスイッチングダイナミックを実現
• 30Vのゲート許容差により、広いゲートドライブマージンを実現

用途


• 産業用モータ駆動インバータに適合
• サーバーおよび通信機器の電源と併用
• 再生可能エネルギーシステム内のDC-DCコンバーターに最適
• 計装機器の高電圧スイッチコントローラに使用可能
• 高電圧スイッチを必要とするLED照明ドライバーに最適

信頼性の高い電気接続には、どのような取り付け方法が必要ですか?


機械的および熱接触用のはんだパッドを使用して基板に表面実装するための低プロファイルPowerPAK 10x12パッケージで提供されます。

過酷な環境での動作温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスの定格動作温度は-55°C~150°Cで、極端な環境環境や高いジャンクション環境での使用が可能です。

ゲートドライブに関する注意点は?


最大ゲートソース電圧は30 Vであるため、ゲートドライブ回路は、この限界内でVgsを制限し、指定されたゲート電荷を約41nCに達成するために十分なドライブを提供する必要があります。

このパッケージは熱放散をどのようにサポートしますか?


PowerPAK 10x12フォーマットは、パッケージから基板への熱経路を提供し、適切なボード熱設計で最大167Wの損失を管理できます。

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