Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK075N60E-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
239-5381
メーカー型番:
SIHK075N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.08Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

167W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流29 A - SIHK075N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子および電気システム向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。表面実装に適したNチャンネルデバイスとして動作し、産業環境での電力変換およびスイッチング作業に高い耐熱性と大幅な連続電流能力を提供します。

特長:


• 600 V定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 29 Aの連続電流により、ヘビー負荷動作をサポート • 0.08Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減 • 167 Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能 • 41 nC標準ゲート充電により、スイッチングトランジションの迅速化を実現 • 150°Cの最高動作温度により、高温での使用が可能

用途


• 産業用ドライブのインバータステージに最適 • オートメーションシステムのスイッチモード電源に最適 • 高電圧モータ制御回路に使用 • 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用可能 • 配電機器のソリッドステートスイッチングに最適

設計において、どのようなゲートドライブの考慮事項を考慮すべきですか?


ドライブ回路は、最大30 Vのゲート対ソース電圧を処理し、標準的な41 nCゲートをすばやく充電するためのソース / シンク電流を実現し、効率的なスイッチングを実現する必要があります。

長時間動作するために、熱管理にどのようにアプローチする必要がありますか?


最大167 Wの消費電力を確保するために、適切な基板熱レイアウトとヒートシンクを確保し、冷却を指定する際にデバイスの最大150 °Cのジャンクション定格を考慮してください。

低温で安全に動作するための電気的制限は何ですか?


このデバイスは、-55 °Cまで使用できるように設定されているため、コンポーネントやはんだ付けプロセスは、電気的ストレス制限を超えることなく、この最小限の環境に対応する必要があります。

どのようなパッケージ特性が基板アセンブリとレイアウトに影響しますか?


このコンポーネントは、8ピンPowerPAK 10 x 12表面実装パッケージを使用し、信頼性の高い取り付けと熱伝達のために適切なランドパターンとはんだペーストの蓄積が必要です。

これは自動車グレードの交換に適していますか?


自動車規格に適合することは指定されていませんので、車両特有の認定要件に対して適合性を確認する必要があります。

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