型番

Vishay MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 40 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12

RS品番:: 252-0263
メーカー型番:: SIHK055N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 40 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12

ボリュームディスカウント対象商品

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4000 - 18000	￥596.103	￥1,192,206
20000 - 28000	￥587.206	￥1,174,412
30000 - 38000	￥578.309	￥1,156,618
40000 +	￥569.412	￥1,138,824

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RS品番:: 252-0263
メーカー型番:: SIHK055N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.05mΩ
	チャンネルモード	デプレッション型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	54nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	132W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	幅	5.15 mm
	長さ	6.15mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.05mΩ
	チャンネルモードデプレッション型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 132W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	幅 5.15 mm
	長さ 6.15mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60EF-T1GE3

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。

第4世代Eシリーズ技術

、低メリット数字(FOM)、Ron xQg

、低有効静電容量(Co(er)

、スイッチング及び伝導損失

の削減、アバランシェ電力定格(UIS)

Vishay MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 40 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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