Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 40 A, 0.05 mΩ, 90 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

RS品番:: 252-0263
メーカー型番:: SIHK055N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 40 A, 0.05 mΩ, 90 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12

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RS品番:: 252-0263
メーカー型番:: SIHK055N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	シリーズ	EF
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.05mΩ
	チャンネルモード	デプレッション型
	最大許容損失Pd	236W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	90nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	+150°C
	長さ	6.15mm
	規格 / 承認	RoHS
	幅	5.15mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	シリーズ EF
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.05mΩ
	チャンネルモードデプレッション型
	最大許容損失Pd 236W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 90nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max +150°C
	長さ 6.15mm
	規格 / 承認 RoHS
	幅 5.15mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60EF-T1GE3

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、ドレイン電流40A - SIHK055N60EF-T1GE3

このパワーMOSFETは、要求の厳しい電力変換および制御環境向けの高電圧スイッチングトランジスタです。幅広い熱範囲で動作する表面実装Nチャンネル消費デバイスで、高電圧処理、大量の連続電流、制御されたゲートドライブ動作を必要とする用途に適しています。

特長：

• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 40A により、高負荷動作に対応
• 0.05mΩ Rds(on)により、高電流での導通損失を最小限に抑制
• 90nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 236Wの最大許容電力により、大きな熱負荷を処理
• 20 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保

用途

• 産業用電源コンバータおよびインバータに使用
• 高電圧モーター駆動ステージに最適
• ヘビーデューティシステムのDC-DC変換に最適
• トラクションモジュールや自動車用パワーモジュールに使用可能
• エネルギーシステムの高出力スイッチアレイに使用

このデバイスは、使用中にどのような極端な熱に耐えられますか?

定格動作温度範囲は-55°C～+150°Cで、温度変動が広い環境での使用が可能です。

このコンポーネントはどのように基板に取り付けられ、どのようなパッケージが付属していますか?

このデバイスは、低インダクタンスの基板実装と効率的な熱コンタクト向けに設計されたPowerPAK 10x12表面実装パッケージで提供されます。

自動車用途向けに、どのような規制および産業用途に対応していますか?

自動車用電子システムに適した半導体認定に関するAEC-Q101要件に適合しています。

プリント基板フットプリントを作成する際、設計者はどのようなピン数を期待する必要がありますか?

このコンポーネントは、8ピンレイアウトを備えており、正しい配置とルーティングを実現するためにプリント基板のランドパターンに適合する必要があります。