Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 10.3 A, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK56E
- RS品番:
- 240-1976
- メーカー型番:
- PSMN4R8-100YSEX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 240-1976
- メーカー型番:
- PSMN4R8-100YSEX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | LFPAK56E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.6mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 12.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 LFPAK56E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.6mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 12.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Nexperia Nチャンネル強化モードMOSFETは、LFPAK56Eパッケージに収められています。
完全に最適化された安全動作エリア(SOA)により、優れたリニアモード動作を実現
低RDS(on)により、I²R導通損失を低減
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